【來源：中國光谷】

8月25日，湖北省委常委、武漢市委書記郭元強，市委副書記、市長程用文會見長飛光纖光纜股份有限公司董事長馬杰一行。

郭元強對長飛光纖長期以來扎根武漢、為經濟社會發展作出的貢獻表示感謝。他說，當前，武漢正在深入學習貫徹黨的二十大精神和習近平總書記考察湖北武漢重要講話精神，深入實施創新驅動發展戰略，扎實推進武漢具有全國影響力的科技創新中心建設，著力構建現代化產業體系，加快轉變經濟發展方式，加快推進“世界光谷”建設，堅定不移推動高質量發展。長飛光纖是全球光纖光纜行業的領軍企業，希望長飛光纖充分發揮龍頭企業引領作用，加大投資力度，加快項目建設，加強技術研發攻關，帶動我市光電子信息產業高質量發展，持續保持“獨樹一幟”優勢；充分發揮國際視野和投資運營優勢，推動資金、技術、人才等高端要素“引進來”和本地特色優勢產業“走出去”，助力武漢打造新時代內陸開放新高地。我們將竭誠做好服務，為企業在漢發展壯大營造良好環境。馬杰感謝武漢各級黨委政府長期以來給予長飛光纖的關心和支持。他說，武漢是建設中的國家中心城市和長江經濟帶核心城市，近年來創新創業環境持續優化，經濟社會高質量發展保持良好勢頭。長飛光纖將堅定深耕武漢，進一步深化與東湖高新區合作，加大技術攻關力度，加快推進長飛先進半導體武漢基地項目建設，為推動武漢產業轉型升級和經濟高質量發展作出更大貢獻。會見后，東湖高新區管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議書。市領導曾晟、杜海洋、汪元程，東湖高新區管委會主任張勇強，長飛光纖光纜股份有限公司執行董事兼總裁莊丹參加有關活動。

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長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目落戶光谷助力打造化合物半導體產業高地

8月25日，東湖高新區管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議書。長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等 ，將助力武漢打造國內化合物半導體產業高地。

長飛先進半導體生產現場

安徽長飛先進半導體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。

九峰山科技園空間布局圖

當前，東湖高新區重點布局化合物半導體產業，將九峰山科技園作為武漢新城重點建設的科技項目。九峰山科技園構建“一核三區，雙軸交匯”的空間格局，“一核”即九峰山實驗室科技創新核，系統布局實驗室、研究院、孵化器等創新業態，“三區”為創新策源區、產業發展區、人才集聚區“三區”。九峰山科技園將構建設備、材料、設計、芯片、器件、模塊、制造、封裝、檢測的全產業鏈體系，推動創新鏈、人才鏈、資金鏈和產業鏈深度融合發展，形成創新活躍、要素齊全、開放協同的產業生態，聚力打造世界級化合物半導體產業高地。經過30余年“追光逐芯”，東湖高新區已成為全球最大光纖光纜研發制造基地、中小尺寸顯示面板產業基地和國內最大光器件研發生產基地、激光產業基地。作為全國四大集成電路產業基地之一，目前，光谷已聚集一批集成電路產業龍頭企業，形成了存儲芯片、化合物半導體芯片為兩大產業方向，涵蓋設計、制造、裝備、材料及分銷、模組等產業鏈關鍵環節的產業集群。

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