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韓國半導體制造商SK海力士于8月21日宣布，成功研發出面向人工智能（AI）的超高性能動態隨機存取存儲器（DRAM）新產品HBM3E，并已開始向客戶提供樣品進行性能驗證。HBM（High Bandwidth Memory）是一種通過垂直連接多個DRAM，從而顯著提升數據處理速度的存儲器。HBM3E是HBM3的擴展版本，也是HBM系列的第五代產品。SK海力士表示，公司以唯一量產HBM3的經驗為基礎，成功開發出全球最高性能的擴展版HBM3E。并憑借業界最大規模的HBM供應經驗和量產成熟度，將從明年上半年開始投入HBM3E量產，以此夯實在面向AI的存儲器市場中獨一無二的地位。據介紹，HBM3E在速度方面，最高每秒可以處理1.15TB（太字節）的數據，相當于在1秒內可處理230部全高清（Full-HD，FHD）級電影（5千兆字節，5GB）。此外，SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF最新技術，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性，因此客戶在基于HBM3組成的系統中，無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。英偉達Hyperscale和HPC部門副總裁伊恩·巴克表示，英偉達為了最先進加速計算解決方案所應用的HBM，與SK海力士進行了長期的合作。他期待兩家公司在HBM3E領域的持續合作，以展示新一代AI計算。

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