【資料圖】

據媒體報道，SK海力士8月21日宣布成功開發出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E，并開始向客戶提供樣品進行性能驗證。SK海力士表示，將從明年上半年開始投入HBM3E量產，以此夯實在面向AI的存儲器市場中獨一無二的地位。

HBM是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內存芯片，它突破了內存容量與帶寬瓶頸，可以為GPU提供更快的并行數據處理速度，打破“內存墻”對算力提升的桎梏，被視為GPU存儲單元理想解決方案。AI服務器對帶寬提出了更高的要求，而HBM基本是AI服務器的標配，超高的帶寬讓HBM成為了高性能GPU的核心組件。集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。從產業鏈上看，HBM市場火熱也讓封裝、材料、設備等環節隨之受益。

民生證券指出，AI催化HBM高景氣，需求快速增長，目前海力士占據絕對份額，相關代理商環節有望受益，同時HBM需求旺盛，也將拉動上游設備及材料用量需求提升。建議關注：1）材料：雅克科技、聯瑞新材、華海誠科、神工股份等；2）設備：北方華創、中微公司等；3）代理商：香農芯創、雅創電子、商絡電子等。

本文源自：金融界

關鍵詞：