三星計劃在2027年將1.4 nm工藝用上BSPDN供電技術
(資料圖片僅供參考)
8月17日消息,據外媒報道稱,三星計劃在2027年讓1.4nm工藝用上BSPDN背部供電技術。據悉,這是三星電子首次披露其 BSPDN 開發進程。
資料顯示,背部供電(BSPDN)技術是一項應用于先進半導體的創新技術,旨在更好地挖掘晶圓背面空間的潛力,但至今仍未在全球范圍內實施。
三星電子相關人士表示:“采用背面供電技術的半導體的量產時間可能會根據客戶的日程安排而改變。”
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