微軟雅黑, "Microsoft YaHei"; font-size: 16px; font-style: normal; font-variant-ligatures: normal; font-variant-caps: normal; font-weight: 400; letter-spacing: normal; orphans: 2; text-align: justify; text-indent: 32px; text-transform: none; white-space: normal; widows: 2; word-spacing: 0px; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: #ffffff; text-decoration-thickness: initial; text-decoration-style: initial; text-decoration-color: initial; width: 100%; line-height: 30px;">眾所周知，目前國產最先進的光刻機是上海微電子的SSX600系列光刻機。其中最先進的型號是SSA600/20，在分辨率這里寫的是90nm。

(資料圖片僅供參考)

也因為寫著90nm，所以很多人爭起來了，有人說最多就是制造90nm制程的芯片，也有人說這臺光刻機屬于ArF光刻機，最多可以達到65/55nm。

還有人說，雖然是90nm，但經過多次曝光后，可以達到28nm精度，那么問題來了，它究竟能制造多少納米的芯片？

如果不進行多重曝光，肯定最多就是達到ArF的極限，也就是65/55nm，這是光刻機技術本身決定的，但是如果經過多重曝光后，情況確實不一樣了。

光刻機技術確實可以利用多重曝光工藝實現更小線寬，目前多重曝光技術有三種，分別是LELE、LFLE、SADP。

LELE是指將原本一層的電路，拆分成幾層進行光刻機；而LFLE則將第二層光刻膠加在第一層已被化學凍結但沒去除的光刻膠上，再次進行光刻，形成兩倍結構。這兩種方式結構簡單，缺點多次曝光要進行對準，誤差較大，會顯著降低良率。

SADP技術又不一樣，又稱側墻圖案轉移，用沉積、刻蝕技術提高光刻精度，其難點主要是工藝過程對側壁沉積的厚度、刻蝕形貌的控制極其重要，另外SADP可以兩次達到4倍精度。

也就是說，如果采用SADP多重曝光，最終實現4倍精度的話，90nm的光刻機，最終理論上確實是可以實現最高22.5nm工藝，可見國產90nm的光刻機，理論上達到28nm是沒什么問題的。

不過大家要注意的是，不管是采用LELE或LFLE，或者采用SADP多重曝光技術，都提高了對刻蝕、 沉積等工藝的技術要求，并且因為增加了使用次數， 使晶圓光刻成本直接就增加了2-3倍，再加上多次曝光會顯著降低良率。

所以如果采用多次曝光，實現4倍精度的話，其晶圓的制造成本，可能比一次曝光的成本，提高5倍以上，生產出來的芯片，都會成為成本過高，沒法應用于市場。

所以，采用多重曝光技術，在28nm階段，并不合適的，也一般沒人使用，因為28nm技術很成熟，利潤非常低，多重曝光導致成本上漲5倍，晶圓廠絕對是虧本的的。

原文標題?:?國產90nm的光刻機，經多重曝光后，能生產28nm芯片？

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